(相關資料圖)
8月22日,東芝電子元件與天岳先進就天岳先進開發制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議,雙方將開展以下合作:針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作,以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。
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